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LED外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和SiC、Si)上，將氣態(tài)物質(zhì)有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。
LED外延片襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發(fā)展路線。
